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  • 型号: MT41K512M8RH-107 IT:E
  • 制造商: Micron Technology Inc
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT41K512M8RH-107 IT:E由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT41K512M8RH-107 IT:E价格参考。Micron Technology IncMT41K512M8RH-107 IT:E封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT41K512M8RH-107 IT:E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT41K512M8RH-107 IT:E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Micron Technology Inc.(美光科技)生产的存储器型号 MT41K512M8RH-107 IT:E 是一款 DDR3 SDRAM 存储芯片,具体应用场景如下:

 1. 服务器和数据中心
   - 该型号的 DDR3 内存芯片广泛应用于服务器和数据中心,用于支持高性能计算任务。它提供了高带宽和低延迟的数据传输能力,适合需要大量数据处理的任务,例如虚拟化、云计算和大数据分析。

 2. 网络设备
   - 在路由器、交换机和其他网络设备中,这款存储器可用于缓存和临时存储数据包。其快速的数据访问速度能够提高网络设备的吞吐量和响应时间。

 3. 嵌入式系统
   - 该型号适用于工业级嵌入式系统,例如医疗设备、工业自动化控制器和通信设备。其可靠性和稳定性使其成为对环境条件要求较高的应用的理想选择。

 4. 图形和游戏设备
   - MT41K512M8RH-107 IT:E 可用于图形处理单元(GPU)和游戏设备中,提供快速的帧缓冲和纹理处理能力,从而提升图形渲染性能。

 5. 消费电子
   - 此类存储器还可能用于高端消费电子产品,例如智能电视、机顶盒和高端音频/视频设备,以支持复杂的多媒体处理和多任务操作。

 技术特点
- 容量:单颗芯片容量为 512Mb(64MB),通常通过多颗芯片组合实现更大的内存容量。
- 接口:DDR3 接口,支持高达 1066 Mbps 的数据传输速率。
- 电压:工作电压为 1.35V 或 1.5V,符合低功耗设计需求。
- 封装:采用 BGA 封装,适合高密度集成。

总结来说,MT41K512M8RH-107 IT:E 主要应用于需要高性能、低延迟和高可靠性的场景,包括服务器、网络设备、嵌入式系统以及消费电子产品等。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC DDR3 SDRAM 4GBIT 933MHZ FBGA

产品分类

存储器

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品图片

产品型号

MT41K512M8RH-107 IT:E

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

78-FBGA (9x10.5)

包装

托盘

存储器类型

DDR3L SDRAM

存储容量

4G(512M x 8)

封装/外壳

78-TFBGA

工作温度

-40°C ~ 95°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

RAM

电压-电源

1.283 V ~ 1.45 V

速度

933MHz

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